MOSFET
Preci-dip (瑞士沛思迪)
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• 8位高性能8051内核• 超低静态功耗• 集成运放、比较器• 内置驱动可选择
• Bidirectional current flow• Bidirectional voltage control• 650V device in 4-pin TO-247 package
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当今的电源系统在很多应用场景中对效率和功率密度的要求越来越高,所需的电压范围和开关频率也需要比传统的硅基器件更大和更快。 宽带隙器件不仅在销量方面增长显著,而且在满足当今复杂电源系统的需求方面具有独特优势。 瑞萨电子在电源产品中战略性地采用 Transphorm 的 GaN 技术和器件,可为客户提供更为丰富的产品,从而成为行业中产品最...